Samsung inicia produção em massa da primeira memória Flash vertical 3D

A Samsung anunciou recentemente que iniciou a produção em massa da primeira memória Flash vertical 3D do mundo. 
De acordo com a fabricante sul coreana, esta nova tecnologia quebrou o limite existente até então nas memórias flash do tipo NAND, o que permitirá ganhos na relação performance-área.
Os novos chips de memória 3D poderão ser utilizados em uma grande variedade de eletrônicos, incluindo armazenamento em dispositivos embarcados e discos de estado sólido (SSD).
As memórias flash convencionais até então são baseadas em estruturas planares e fazem uso de portas flutuantes (floating gates). Como a tecnologia conseguiu miniatuarizar o processo de fabricação dos chips, a tecnologia de 10 nm pode causar interferência pela proximidade reduzida entre as células. Para resolver este problema, a fabricante desenvolveu uma nova arquitetura batizada de CTF, onde uma carga elétrica é armazenada temporariamente em uma “camara” formada por uma camada de material não condutivo feito de nitreto de silício. Ao contrário do uso da tecnologia de “floating gates” (ou portas flutuantes), a arquitetura CTF evita que interferências sejam criadas entre as células. Além disso, esta arquitetura (criada inicialmente em 2006) permite utilizar camadas tridimensionais.

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